当前，AI算力需求正以指数级速度增长，英伟达GPU、高端AI芯片对互连密度、传输效率、散热性能的要求达到全新高度，传统封装技术已无法适配多芯片集成的复杂需求——芯片性能提升的边际效益递减，而先进封装通过2.5D/3D异构集成、混合键合等技术，可在不突破制程极限的前提下，实现芯片间的高速互连与高密度集成，大幅缩短信号传输路径、降低功耗、提升散热效率，成为AI算力落地的“刚需支撑”。
近期，全球半导体大厂密集披露先进封装领域的产能扩张、技术突破与合作布局。AI算力的爆发式需求，正驱动先进封装产业驶入“快车道”，2026年炒股经验总结，这条赛道将如快马奔腾，成为半导体产业增长的核心引擎。
台积电、英特尔、三星领跑争霸
在先进封装赛道，国际龙头企业凭借技术积累与资金优势，率先开启规模化布局，聚焦高端技术突破与产能落地。
01.
台积电：WMCM量产在即
作为先进封装领域的领跑者，台积电持续加大投入，核心聚焦WMCM封装技术的量产落地与产能扩张。
据悉，台积电的WMCM（晶圆级多芯片模组）封装技术已进入量产倒计时，该技术是在CoWoS基础上的终极演化，核心创新在于以重布线层（RDL）替代传统Interposer中介层，可将内存与CPU、GPU、NPU集成于同一晶圆，极大缩短信号传输路径，显著提升互连密度与散热性能，将适配苹果iPhone 18搭载的A20系列芯片，配合2nm制程实现性能跃升。
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产能布局方面，台积电计划在嘉义AP7工厂新建WMCM生产线，目标2026年底实现月产6万片晶圆，2027年产能将进一步翻倍至12万片；同时升级龙潭AP3工厂现有的InFO设备，完善产能矩阵。
02.
英特尔：EMIB技术升级
根据TrendForce集邦咨询研究，随着云端服务业者（CSP）加速自研ASIC，为整合更多复杂功能的芯片，对封装面积的需求不断扩大，已有CSP开始考量转向Intel（英特尔）的EMIB技术。
在2026年NEPCON日本电子展上，英特尔展示了结合EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）与玻璃基板的最新封装样品，进一步优化芯片互连性能，适配高端AI芯片的需求。
EMIB拥有数项优势：首先是结构简化，EMIB舍弃昂贵且大面积的中介层，直接利用内嵌于载板的硅桥（Bridge）实现芯片互连，简化整体结构，相对于CoWoS良率更高。其次是热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion,CTE）问题较小，由于EMIB只在芯片边缘嵌硅桥，整体硅比例低，因此硅与基板的接触区域少，导致热膨胀系数不匹配的问题较小，较不容易产生封装翘曲，可靠度面临挑战的情况也较少。
Intel耕耘EMIB先进封装技术多年，已应用至自家Server CPU平台Sapphire Rapids和Granite Rapids等。
合作与产能方面，英特尔与安靠携手布局韩国仁川EMIB产线，承接英特尔及外部客户订单，缓解先进封装产能短缺压力。
据英特尔首席财务官透露，先进封装的订单预计将扩大到10亿美元以上，2026年EMIB有望进入主流产品，成为英特尔代工业务扭亏为盈的重要支撑。
03.
三星：玻璃基板加速商用
三星集团协同旗下子公司，在2026年初加快先进封装领域的布局，重点推进玻璃基板商用化与散热技术升级，构建全产业链协同优势。
三星电机正加速半导体玻璃基板的商用化进程，已对组织架构进行调整，将半导体玻璃基板业务从先进技术开发部门转移至新成立的商业化部门，整合相关人员，全力推进规模化生产。
目前，三星电机已与多家半导体客户合作开展样品开发，同时与日本住友化学集团建立战略合作伙伴关系，加速“玻璃芯”这一核心组件的生产与供应，助力玻璃基板量产落地。
元股证券:ygzq.hk玻璃基板相比传统有机基板，具有翘曲度小、可无缝集成微电路等优势，是下一代先进封装的核心材料，深受三星电子、英特尔、博通等行业巨头的关注与布局。
与此同时，三星在芯片散热领域持续突破，其Exynos 2600芯片搭载HPB散热技术，配合先进封装工艺，有效解决多芯片集成后的散热难题，进一步提升芯片性能稳定性，适配AI与高端移动终端的需求。
长电、通富等本土厂商蓄力突围
本土封测企业如长电科技、通富微电等龙头企业凭借持续的技术研发与资金投入，在先进封装领域实现关键突破，借助AI算力爆发的机遇，加速国产替代进程，成为产业增长的重要新生力量。
01.
长电科技：样品交付实现突破
长电科技作为国内封测龙头，在先进封装领域持续深耕，近期迎来技术落地的关键节点。
今年1月21日，长电科技宣布公司在光电合封（Co-packaged Optics，CPO）技术领域取得重要进展。其基于XDFOI®多维异质异构先进封装工艺平台的硅光引擎产品已完成客户样品交付，并在客户端顺利通过测试。
CPO通过先进封装技术实现光电器件与芯片的微系统集成，为下一代高性能计算系统提供了更紧凑、更高效的实现路径。
02.
通富微电：定增扩产加码
通富微电则通过定增募资、技术研发双重发力，在2026年初加快先进封装领域的布局，聚焦汽车、存储、晶圆级封测、HPC等核心赛道。
公司宣布定增不超过44亿元，资金将投向汽车/存储/晶圆级封测/HPC相关领域，进一步扩大先进封装产能，完善产能布局，抢抓AI与汽车电子带来的市场机遇。
技术进展方面，通富微电在业绩说明会及投资者互动中披露，大尺寸FCBGA封装技术取得显著进展，超大尺寸FCBGA已进入考核阶段，有望逐步实现量产。
同时，CPO（共封装光学）技术完成初步可靠性验证，该技术作为AI芯片高速互连的核心方案，可大幅提升芯片传输效率、降低功耗，适配高端AI算力需求。
AI算力驱动下，先进封装快马奔腾
综合全球大厂的布局动态来看，AI算力驱动下2026年将成为先进封装产业爆发的关键一年，产业也将呈现两大趋势：
首先，技术迭代持续加速，WMCM、EMIB、玻璃基板、混合键合等高端技术逐步走向规模化量产，推动封装工艺向更高集成度、更高传输效率、更低功耗升级。
其次，产能持续扩张，全球主要企业纷纷加码先进封装产能，全球高端封装产能将实现大幅增长，缓解产能短缺压力。
AI算力的爆发式需求已为先进封装产业注入强劲动力，全球大厂的密集布局，正推动产业进入“快马奔腾”的发展阶段。
对于国际龙头而言，技术与产能的双重优势将助力其持续领跑；对于本土企业而言，借助国产替代的东风，依托技术突破与产能扩张，有望实现跨越式发展，逐步提升全球市场份额。
2026年，先进封装不仅将成为半导体产业的核心增长引擎，更将深刻影响AI、HPC、自动驾驶等下游产业的发展格局，开启后摩尔时代的产业新征程。
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